BC638,112 دیتاشیت

BC636, BC638, BC640

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت BC636, BC638, BC640
حجم فایل 55.504 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

دانلود دیتاشیت BC636, BC638, BC640

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: NXP USA Inc.
  • Series: -
  • Packaging: Bulk
  • Part Status: Obsolete
  • Transistor Type: PNP
  • Current - Collector (Ic) (Max): 1A
  • Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
  • Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
  • DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
  • Power - Max: 830mW
  • Frequency - Transition: 100MHz
  • Operating Temperature: 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • Supplier Device Package: TO-92-3
  • Base Part Number: BC63
  • detail: Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 1A 100MHz 830mW Through Hole TO-92-3