VBE1106N دیتاشیت

VBE1106N

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت VBE1106N
حجم فایل 73.493 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

مشاهده دیتاشیت VBE1106N

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

VBE1106N 9 pages

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: VBsemi Elec VBE1106N
  • Power Dissipation (Pd): 83W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Continuous Drain Current (Id): 25A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.6V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 62mΩ@4.5V,8A
  • Package: TO-252
  • Manufacturer: VBsemi Elec
  • Part id: 1220104

محصولات مشابه