VBsemi Elec VBE1101N دیتاشیت

VBsemi Elec VBE1101N

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت VBsemi Elec VBE1101N
حجم فایل 71.159 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 8

مشاهده دیتاشیت VBsemi Elec VBE1101N

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

VBE1101N 8 pages

VBE1101N 8 pages

مشخصات فنی

  • Type: N-Channel
  • Number: 1 N-channel
  • RDS(on): 8.5mΩ
  • Gate Charge(Qg): 105nC
  • Ciss-Input Capacitance: 4nF
  • Pd - Power Dissipation: 176W
  • Drain to Source Voltage: 100V
  • Operating Temperature -: -55℃~+175℃
  • Current - Continuous Drain(Id): 85A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)): 4V
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 205pF
  • Package: TO-252

محصولات مشابه