- صفحه اصلی
- دانلود دیتاشیت
- دیتاشیت VBE2102M
VBE2102M دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | VBE2102M |
|---|---|
| حجم فایل | 69.706 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 9 |
دانلود دیتاشیت VBE2102M |
دانلود دیتاشیت |
|---|
سایر مستندات
VBE2102M 9 pages
مشخصات فنی
- RoHS: true
- Type: P Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: VBsemi Elec VBE2102M
- Power Dissipation (Pd): 32.1W
- Drain Source Voltage (Vdss): 100V
- Continuous Drain Current (Id): 8.8A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.5V@250uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 350mΩ@4.5V,3.4A
- Package: TO-252
- Manufacturer: VBsemi Elec
- Part id: 1220124
