RJU002N06T106 دیتاشیت

RJU002N06T106

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت RJU002N06T106
حجم فایل 50.365 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 5

مشاهده دیتاشیت RJU002N06T106

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

RJU002N06T106 8 pages

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: ROHM Semicon RJU002N06T106
  • Operating Temperature: +150°C@(Tch)
  • Power Dissipation (Pd): 200mW
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): -
  • Drain Source Voltage (Vdss): 60V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 18pF@10V
  • Continuous Drain Current (Id): 200mA
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.5V@1mA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 5pF@10V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 1.6Ω@4.5V,200mA
  • Package: UMT-3
  • Manufacturer: ROHM Semicon
  • Part id: 1282127

محصولات مشابه