FS30R06W1E3_B11 دیتاشیت

FS30R06W1E3_B11

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت FS30R06W1E3_B11
حجم فایل 79.787 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

مشاهده دیتاشیت FS30R06W1E3_B11-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

FS30R06W1E3_B11 9 pages

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: IGBT Modules
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/IGBTs
  • Datasheet: Infineon Technologies FS30R06W1E3_B11
  • Operating Temperature: -40°C~+150°C@(Tvjop)
  • Collector Current (Ic): 45A
  • Power Dissipation (Pd): 150W
  • Turn?on Delay Time (Td(on)): 23ns
  • Input Capacitance (Cies@Vce): 1.65nF@25V
  • Turn?on Switching Loss (Eon): 0.6mJ
  • Diode Forward Voltage (Vf@If): 1.6V@30A
  • Total Gate Charge (Qg@Ic,Vge): -
  • Turn?off Delay Time (Td(off)): 150ns
  • Pulsed Collector Current (Icm): 60A
  • Turn?off Switching Loss (Eoff): 0.62mJ
  • Diode Reverse Recovery Time (Trr): -
  • Collector Cut-Off Current (Ices@Vce): 1mA@600V
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces): 600V
  • Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic): 5.8V@300uA
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Vge): 1.55V@30A,15V
  • Package: AG-EASY1B-2
  • Manufacturer: Infineon Technologies
  • Part id: 1054095

محصولات مشابه