دیتاشیت SIHG30N60E-GE3

SIHG30N60E-GE3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SIHG30N60E-GE3
حجم فایل 174.272 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 8

دانلود دیتاشیت SIHG30N60E-GE3

SIHG30N60E-GE3 Datasheet

مشخصات

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Vishay Intertech SIHG30N60E-GE3
  • Power Dissipation (Pd): 250W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 600V
  • Continuous Drain Current (Id): 29A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 125mΩ@10V,15A
  • Package: TO-247AC-3
  • Manufacturer: Vishay Intertech
  • Part id: 436851