دیتاشیت 30N06
مشخصات دیتاشیت
نام دیتاشیت |
30N06
|
حجم فایل |
1345.387
کیلوبایت
|
نوع فایل |
pdf
|
تعداد صفحات |
9
|
مشخصات
-
RoHS:
true
-
Type:
N Channel
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
UMW(Youtai Semiconductor Co., Ltd.) 30N06
-
Operating Temperature:
-55°C~+150°C@(Tj)
-
Power Dissipation (Pd):
55W
-
Total Gate Charge (Qg@Vgs):
25nC@10V
-
Drain Source Voltage (Vdss):
60V
-
Input Capacitance (Ciss@Vds):
1562pF@25V
-
Continuous Drain Current (Id):
30A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
2.5V@250uA
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
29mΩ@15A,10V
-
Package:
TO-252
-
Manufacturer:
UMW(Youtai Semiconductor Co., Ltd.)
-
Part id:
413387