دیتاشیت 30N06

30N06

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت 30N06
حجم فایل 1345.387 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

دانلود دیتاشیت 30N06

30N06 Datasheet

مشخصات

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: UMW(Youtai Semiconductor Co., Ltd.) 30N06
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 55W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 25nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 60V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 1562pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 30A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.5V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 29mΩ@15A,10V
  • Package: TO-252
  • Manufacturer: UMW(Youtai Semiconductor Co., Ltd.)
  • Part id: 413387