SKQ50N03BD دیتاشیت

SKQ50N03BD

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SKQ50N03BD
حجم فایل 58.514 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 5

مشاهده دیتاشیت SKQ50N03BD-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Shikues SKQ50N03BD
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C
  • Power Dissipation (Pd): 30W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 52.8nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 30V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 2150pF@15V
  • Continuous Drain Current (Id): 50A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 252pF@15V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 6mΩ@10V,15A
  • Package: DFN-8(3.3x3.3)
  • Manufacturer: Shikues
  • Part id: 1286056

محصولات مشابه