دیتاشیت S8550
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت |
S8550
|
| حجم فایل |
480.957
کیلوبایت
|
| نوع فایل |
pdf
|
| تعداد صفحات |
3
|
مشخصات
-
RoHS:
true
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
-
Datasheet:
WEIDA S8550
-
Transistor Type:
NPN
-
Operating Temperature:
-55°C~+150°C@(Tj)
-
Collector Current (Ic):
1.5A
-
Power Dissipation (Pd):
1W
-
Transition Frequency (fT):
100MHz
-
Collector Cut-Off Current (Icbo):
100nA
-
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo):
25V
-
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib):
500mV@800mA,80mA
-
Package:
TO-92-3
-
Manufacturer:
WEIDA
-
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce):
120@50mA,1V
-
Part id:
1292296
