IPT026N10N5 دیتاشیت

IPT026N10N5

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IPT026N10N5
حجم فایل 50.846 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 11

مشاهده دیتاشیت IPT026N10N5

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

IPT026N10N5 11 pages

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: -
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies IPT026N10N5
  • Power Dissipation (Pd): -
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): -
  • Drain Source Voltage (Vdss): -
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): -
  • Continuous Drain Current (Id): -
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): -
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): -
  • Package: HSOF-8
  • Manufacturer: Infineon Technologies
  • Part id: 1315669

محصولات مشابه