SI1499DH-T1-GE3 دیتاشیت

SI1499DH-T1-GE3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SI1499DH-T1-GE3
حجم فایل 86.075 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 11

مشاهده دیتاشیت SI1499DH-T1-GE3

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

SI1499DH-T1-GE3 9 pages

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Vishay Intertech SI1499DH-T1-GE3
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 2.5W;2.78W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 16nC@4.5V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 8V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 650pF@4V
  • Continuous Drain Current (Id): 1.6A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 800mV@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 78mΩ@2A,4.5V
  • Package: SOT-363
  • Manufacturer: Vishay Intertech
  • Part id: 1283412

محصولات مشابه