IPB80N03S4L-03 دیتاشیت

IPB80N03S4L-03

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IPB80N03S4L-03
حجم فایل 68.351 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

مشاهده دیتاشیت IPB80N03S4L-03

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

IPB80N03S4L-03 9 pages

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies IPB80N03S4L-03
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 94W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 75nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 30V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 5100pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 80A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.2V@45uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 3.7mΩ@80A,10V
  • Package: TO-263
  • Manufacturer: Infineon Technologies
  • Part id: 399587

محصولات مشابه