RU1H35L دیتاشیت

RU1H35L

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت RU1H35L
حجم فایل 70.89 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

مشاهده دیتاشیت RU1H35L

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

RU1H35L 4 pages

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Shenzhen ruichips Semicon RU1H35L
  • Power Dissipation (Pd): 97W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Continuous Drain Current (Id): 40A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 25mΩ@10V,16A
  • Package: TO-252-2(DPAK)
  • Manufacturer: Shenzhen ruichips Semicon
  • Part id: 1294737

محصولات مشابه