HY1506C2 دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
|
نام دیتاشیت
|
HY1506C2
|
|
حجم فایل
|
61.651
کیلوبایت
|
|
نوع فایل
|
pdf
|
|
تعداد صفحات
|
9
|
مشخصات فنی
-
RoHS:
true
-
Type:
N Channel
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
HUAYI HY1506C2
-
Operating Temperature:
+150°C@(Tj)
-
Power Dissipation (Pd):
48W
-
Total Gate Charge (Qg@Vgs):
148.7nC@10V
-
Drain Source Voltage (Vdss):
60V
-
Input Capacitance (Ciss@Vds):
10.8nF@50V
-
Continuous Drain Current (Id):
48A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
3V@250uA
-
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds):
37pF@50V
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
10.5mΩ@10V,20A
-
Package:
TDSON-8(5.2x5.9)
-
Manufacturer:
HUAYI
-
Part id:
1146598
