US6K1TR دیتاشیت

US6K1TR

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت US6K1TR
حجم فایل 72.414 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 13

مشاهده دیتاشیت US6K1TR

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

US6K1TR 4 pages

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: 2 N-Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: ROHM Semicon US6K1TR
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 1W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 1.6nC@4.5V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 30V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 80pF@10V
  • Continuous Drain Current (Id): 1.5A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.5V@1mA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 12pF@10V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 170mΩ@4.5V,1.5A
  • Package: SOT-363T
  • Manufacturer: ROHM Semicon
  • Part id: 553540

محصولات مشابه