- صفحه اصلی
- دانلود دیتاشیت
- دیتاشیت HY3503C2
HY3503C2 دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | HY3503C2 |
|---|---|
| حجم فایل | 61.8 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 9 |
دانلود دیتاشیت HY3503C2 |
دانلود دیتاشیت |
|---|
سایر مستندات
HY3503C2 9 pages
مشخصات فنی
- RoHS: true
- Type: N Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: HUAYI HY3503C2
- Power Dissipation (Pd): 156W
- Drain Source Voltage (Vdss): 30V
- Continuous Drain Current (Id): 150A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3V@250uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 2.5mΩ@10V,20A
- Package: PPAK-8L(5x6)
- Manufacturer: HUAYI
- Part id: 1145837