SGD02N60 دیتاشیت

SGD02N60

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SGD02N60
حجم فایل 74.691 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 12

مشاهده دیتاشیت SGD02N60

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

SGD02N60 9 pages

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: NPT
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/IGBTs
  • Datasheet: Infineon Technologies SGD02N60
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 6A
  • Power Dissipation (Pd): 30W
  • Input Capacitance (Cies@Vce): -
  • Turn?on Switching Loss (Eon): 0.036mJ
  • Pulsed Collector Current (Icm): 12A
  • Turn?off Switching Loss (Eoff): 0.028mJ
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces): 600V
  • Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic): -
  • Package: TO-252
  • Manufacturer: Infineon Technologies
  • Part id: 1283384

محصولات مشابه