دیتاشیت IPB80N04S3-03
مشخصات دیتاشیت
نام دیتاشیت |
IPB80N04S3-03
|
حجم فایل |
199.041
کیلوبایت
|
نوع فایل |
pdf
|
تعداد صفحات |
9
|
مشخصات
-
RoHS:
true
-
Type:
N Channel
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
Infineon Technologies IPB80N04S3-03
-
Power Dissipation (Pd):
188W
-
Drain Source Voltage (Vdss):
40V
-
Continuous Drain Current (Id):
80A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
4V@120uA
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
3.2mΩ@10V,80A
-
Package:
TO-263-3
-
Manufacturer:
Infineon Technologies
-
Part id:
399887