دیتاشیت SUD09P10-195-GE3

SUD09P10-195-GE3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SUD09P10-195-GE3
حجم فایل 70.792 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 8

SUD09P10-195-GE3

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

SUD09P10-195-GE3 9 pages

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Vishay Intertech SUD09P10-195-GE3
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 2.5W;32.1W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 34.8nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 1055pF@50V
  • Continuous Drain Current (Id): 8.8A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.5V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 195mΩ@10,3.6A
  • Package: TO-252-2(DPAK)
  • Manufacturer: Vishay Intertech
  • Part id: 1233827

محصولات مشابه