BSC100N06LS3G دیتاشیت

BSC100N06LS3G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت BSC100N06LS3G
حجم فایل 68.492 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

مشاهده دیتاشیت BSC100N06LS3G

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

BSC100N06LS3G 9 pages

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies BSC100N06LS3G
  • Power Dissipation (Pd): 2.5W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 60V
  • Continuous Drain Current (Id): 12A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.2V@23uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 10mΩ@10V,50A
  • Package: DFN-8(5x6)
  • Manufacturer: Infineon Technologies
  • Part id: 396316

محصولات مشابه