3DD13003B دیتاشیت

3DD13003B

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت 3DD13003B
حجم فایل 77.36 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 2

مشاهده دیتاشیت 3DD13003B

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

3DD13003B 2 pages

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd. 3DD13003B
  • Transistor Type: NPN
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 1.5A
  • Power Dissipation (Pd): 900mW
  • Transition Frequency (fT): 4MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 20@400mA,10V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 100nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 400V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 800mV@500mA,100mA
  • Package: TO-92
  • Manufacturer: Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd.
  • Part id: 419585

محصولات مشابه