IPD30N06S2L-23 دیتاشیت

IPD30N06S2L-23

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IPD30N06S2L-23
حجم فایل 57.852 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 8

دانلود دیتاشیت IPD30N06S2L-23

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

IPD30N06S2L-23 8 pages

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies IPD30N06S2L-23
  • Power Dissipation (Pd): 100W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 55V
  • Continuous Drain Current (Id): 30A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2V@50uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 23mΩ@10V,22A
  • Package: TO-252
  • Manufacturer: Infineon Technologies
  • Part id: 399630

محصولات مشابه