NTTFD022N10C دیتاشیت

NTTFD022N10C

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت NTTFD022N10C
حجم فایل 73.577 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

مشاهده دیتاشیت NTTFD022N10C

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: 2 N-Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: onsemi NTTFD022N10C
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 1.7W;26W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 9nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 585pF@50V
  • Continuous Drain Current (Id): 6A;24A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@44uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 25mΩ@7.8A,10V
  • Package: WQFN-12(3.3x3.3)
  • Manufacturer: onsemi
  • Part id: 1283972

محصولات مشابه