IPT029N08N5 دیتاشیت

IPT029N08N5

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IPT029N08N5
حجم فایل 50.388 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 11

مشاهده دیتاشیت IPT029N08N5

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

IPT029N08N5 11 pages

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies IPT029N08N5
  • Power Dissipation (Pd): 168W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 80V
  • Continuous Drain Current (Id): 52A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3.8V@108uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 2.9mΩ@10V,150A
  • Package: HSOF-8
  • Manufacturer: Infineon Technologies
  • Part id: 1036673

محصولات مشابه