IRF6641TRPBF دیتاشیت

IRF6641TRPBF

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IRF6641TRPBF
حجم فایل 122.958 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت IRF6641TRPBF

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

IRF6641TRPBF 9 pages

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies IRF6641TRPBF
  • Operating Temperature: -40°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 2.8W;89W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 48nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 200V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 2290pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 4.6A;26A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4.9V@150uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 59.9mΩ@5.5A,10V
  • Package: MG-WDSON-5
  • Manufacturer: Infineon Technologies
  • Part id: 164637

محصولات مشابه