ZXT10N50DE6TA دیتاشیت

ZXT10N50DE6TA

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت ZXT10N50DE6TA
حجم فایل 79.969 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

مشاهده دیتاشیت ZXT10N50DE6TA-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

ZXT10N50DE6TA 6 pages

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: Diodes Incorporated ZXT10N50DE6TA
  • Transistor Type: NPN
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 3A
  • Power Dissipation (Pd): 1.1W
  • Transition Frequency (fT): 165MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 100@2A,2V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 100nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 50V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 220mV@3A,100mA
  • Package: SOT-26
  • Manufacturer: Diodes Incorporated
  • Part id: 408185

محصولات مشابه