NTBS9D0N10MC دیتاشیت

NTBS9D0N10MC

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت NTBS9D0N10MC
حجم فایل 84.676 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

مشاهده دیتاشیت NTBS9D0N10MC

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

NTBS9D0N10MC 6 pages

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: onsemi NTBS9D0N10MC
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 3.8W;68W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 23nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 1.695nF@50V
  • Continuous Drain Current (Id): 14A;60A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3V@131uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 13pF@50V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 7.8mΩ@10V,23A
  • Package: D2PAK
  • Manufacturer: onsemi
  • Part id: 1248097

محصولات مشابه