دیتاشیت IPG20N06S4L-26
مشخصات دیتاشیت
نام دیتاشیت |
IPG20N06S4L-26
|
حجم فایل |
1615.128
کیلوبایت
|
نوع فایل |
pdf
|
تعداد صفحات |
20
|
مشخصات
-
RoHS:
true
-
Type:
2 N-Channel
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
Infineon Technologies IPG20N06S4L-26
-
Power Dissipation (Pd):
33W
-
Drain Source Voltage (Vdss):
60V
-
Continuous Drain Current (Id):
20A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
2.2V@10uA
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
26mΩ@10V,17A
-
Package:
TDSON-8-4
-
Manufacturer:
Infineon Technologies
-
Part id:
1422265