IXTP80N12T2 دیتاشیت

IXTP80N12T2

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IXTP80N12T2
حجم فایل 272.458 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 2

مشاهده دیتاشیت IXTP80N12T2

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 325W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 80nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 120V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 4740pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 80A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4.5V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 17mΩ@10V,40A
  • Package: TO-220
  • Manufacturer: IXYS
  • Part id: 1109977

محصولات مشابه