HY1804D دیتاشیت

HY1804D

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HY1804D
حجم فایل 54.557 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 12

مشاهده دیتاشیت HY1804D-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

HY1804D 12 pages

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: 1 N-channel
  • Category: Transistors/Thyristors/MOSFETs
  • Datasheet: HUAYI HY1804D
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C
  • Power Dissipation (Pd): 100W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 90nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 40V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 4280pF
  • Continuous Drain Current (Id): 80A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 324pF@25V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 4.6mΩ
  • Package: TO-252-2

محصولات مشابه