QS6M3TR دیتاشیت

QS6M3TR

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت QS6M3TR
حجم فایل 49.877 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 8

مشاهده دیتاشیت QS6M3TR

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

QS6M3TR 8 pages

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: 1PCSN-Channel&1PCSP-Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: ROHM Semicon QS6M3TR
  • Power Dissipation (Pd): 1.25W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 1.6nC@4.5V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 30V;null
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 80pF@10V
  • Continuous Drain Current (Id): 1.5A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.5V@1mA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 230mΩ@1.5A,4.5V
  • Package: TSMT-6
  • Manufacturer: ROHM Semicon
  • Part id: 606659

محصولات مشابه