دیتاشیت 2N7002E-T1-GE3
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت |
2N7002E-T1-GE3
|
| حجم فایل |
199.068
کیلوبایت
|
| نوع فایل |
pdf
|
| تعداد صفحات |
8
|
مشخصات
-
RoHS:
true
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
Vishay Intertech 2N7002E-T1-GE3
-
Operating Temperature:
-55°C~+150°C@(Tj)
-
Power Dissipation (Pd):
350mW
-
Total Gate Charge (Qg@Vgs):
0.6nC@4.5V
-
Input Capacitance (Ciss@Vds):
21pF@5V
-
Continuous Drain Current (Id):
240mA
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
2.5V@250uA
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
3Ω@250mA,10V
-
Package:
SOT-23-3
-
Manufacturer:
Vishay Intertech
-
Part id:
506212
