UMZ1N دیتاشیت

UMZ1N

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت UMZ1N
حجم فایل 41.046 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

مشاهده دیتاشیت UMZ1N

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

UMZ1N 1 pages

UMZ1N 4 pages

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: Yangzhou Yangjie Elec Tech UMZ1N
  • Transistor Type: 1PCSNPN&1PCSPNP
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C
  • Collector Current (Ic): 150mA
  • Power Dissipation (Pd): 150mW
  • Transition Frequency (fT): 180MHz;140MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 120@1mA,6V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 100nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 50V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 400mV@50mA,5mA;500mV@50mA,5mA
  • Package: SOT-363
  • Manufacturer: Yangzhou Yangjie Elec Tech
  • Part id: 694535

محصولات مشابه