دیتاشیت IPB160N04S4L-H1
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | IPB160N04S4L-H1 |
|---|---|
| حجم فایل | 211.282 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 9 |
دانلود دیتاشیت IPB160N04S4L-H1 |
IPB160N04S4L-H1 Datasheet |
|---|
مشخصات
- RoHS: true
- Type: -
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: Infineon Technologies IPB160N04S4L-H1
- Power Dissipation (Pd): -
- Total Gate Charge (Qg@Vgs): -
- Drain Source Voltage (Vdss): -
- Input Capacitance (Ciss@Vds): -
- Continuous Drain Current (Id): -
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): -
- Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): -
- Package: TO-263-7
- Manufacturer: Infineon Technologies
- Part id: 755346
