BD13910S دیتاشیت

BD13910S

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت BD13910S
حجم فایل 50.121 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 5

مشاهده دیتاشیت BD13910S

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

BD13916S 5 pages

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: onsemi BD13910S
  • Transistor Type: NPN
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 1.5A
  • Power Dissipation (Pd): 1.25W
  • Transition Frequency (fT): -
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 63@150mA,2V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 100nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 80V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 500mV@500mA,50mA
  • Package: TO-126
  • Manufacturer: onsemi
  • Part id: 787971

محصولات مشابه