دیتاشیت IPN60R1K0CE
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت |
IPN60R1K0CE
|
| حجم فایل |
1080.956
کیلوبایت
|
| نوع فایل |
pdf
|
| تعداد صفحات |
13
|
مشخصات
-
RoHS:
true
-
Type:
N Channel
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
Infineon Technologies IPN60R1K0CE
-
Power Dissipation (Pd):
5W
-
Drain Source Voltage (Vdss):
600V
-
Continuous Drain Current (Id):
6.8A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
3.5V@130uA
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
1Ω@10V,1.5A
-
Package:
SOT-223
-
Manufacturer:
Infineon Technologies
-
Part id:
877918