- صفحه اصلی
- دانلود دیتاشیت
- دیتاشیت 2SB1386
دیتاشیت 2SB1386
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | 2SB1386 |
|---|---|
| حجم فایل | 80.402 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 2 |
2SB1386 |
دانلود دیتاشیت |
|---|
سایر مستندات
2SB1386-P-AB3-B-R 5 pages
2SB1386 4 pages
مشخصات فنی
- RoHS: true
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
- Datasheet: Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd. 2SB1386
- Transistor Type: PNP
- Operating Temperature: +150°C@(Tj)
- Collector Current (Ic): 5A
- Power Dissipation (Pd): 500mW
- Transition Frequency (fT): 120MHz
- DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 180@500mA,2V
- Collector Cut-Off Current (Icbo): 500nA
- Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 20V
- Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 1V@4A,100mA
- Package: SOT-89-3
- Manufacturer: Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd.
- Part id: 172861