2DB1188R-13 دیتاشیت

2DB1188R-13

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت 2DB1188R-13
حجم فایل 73.076 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

مشاهده دیتاشیت 2DB1188R-13

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: Diodes Incorporated 2DB1188R-13
  • Transistor Type: PNP
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 2A
  • Power Dissipation (Pd): 1W
  • Transition Frequency (fT): 120MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 180@500mA,3V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 100nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 32V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 350mV@2A,200mA
  • Package: SOT-89
  • Manufacturer: Diodes Incorporated
  • Part id: 708889

محصولات مشابه