RFD3055LE دیتاشیت

RFD3055LE

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت RFD3055LE
حجم فایل 70.016 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

دانلود دیتاشیت RFD3055LE

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

RFD3055LE 8 pages

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: 1 N-Channel
  • Category: Transistors/Thyristors/MOSFETs
  • Datasheet: onsemi RFD3055LE
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 38W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 11.3nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 60V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 350pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 11A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 107mΩ@5V,8A
  • Package: TO-251

محصولات مشابه