MJD128T4G دیتاشیت

MJD128T4G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت MJD128T4G
حجم فایل 90.667 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

مشاهده دیتاشیت MJD128T4G

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

MJD128T4G 6 pages

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Darlington Transistors
  • Datasheet: onsemi MJD128T4G
  • Transistor Type: PNP
  • Operating Temperature: -65°C~+150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 8A
  • Power Dissipation (Pd): 1.75W
  • Transition frequency (fT): 4MHz
  • DC current gain (hFE@Vce,Ic): 1000@4V,4A
  • Collector-emitter voltage (Vceo): 120V
  • Collector cut-off current (Icbo@Vcb): 5mA
  • Collector-emitter saturation voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 4V@8A,80mA
  • Package: TO-252
  • Manufacturer: onsemi
  • Part id: 172359

محصولات مشابه