RU6888M دیتاشیت

RU6888M

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت RU6888M
حجم فایل 67.975 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

مشاهده دیتاشیت RU6888M

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

RU6888M 9 pages

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Shenzhen ruichips Semicon RU6888M
  • Power Dissipation (Pd): 62.5W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 60V
  • Continuous Drain Current (Id): 62A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 8mΩ@10V,40A
  • Package: PDFN-8(5.8x4.9)
  • Manufacturer: Shenzhen ruichips Semicon
  • Part id: 446135

محصولات مشابه