HY030N06C2 دیتاشیت

HY030N06C2

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HY030N06C2
حجم فایل 65.898 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

مشاهده دیتاشیت HY030N06C2

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

HY030N06C2 9 pages

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: 1 N-channel
  • Category: Transistors/Thyristors/MOSFETs
  • Datasheet: HUAYI HY030N06C2
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C
  • Power Dissipation (Pd): 48W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 65V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 5270pF
  • Continuous Drain Current (Id): 100A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.6V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 220pF
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 3.7mΩ@4.5V
  • Package: PPAK-8L(5x6)

محصولات مشابه