2DB1713-13 دیتاشیت

2DB1713-13

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت 2DB1713-13
حجم فایل 107.63 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 4

مشاهده دیتاشیت 2DB1713-13

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

2DB1713-13 4 pages

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: Diodes Incorporated 2DB1713-13
  • Transistor Type: PNP
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 3A
  • Power Dissipation (Pd): 900mW
  • Transition Frequency (fT): 180MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 270@500mA,2V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 100nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 12V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 120mV@1.5A,30mA
  • Package: SOT-89
  • Manufacturer: Diodes Incorporated
  • Part id: 405222

محصولات مشابه