US6K4TR دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
|
نام دیتاشیت
|
US6K4TR
|
|
حجم فایل
|
52.146
کیلوبایت
|
|
نوع فایل
|
pdf
|
|
تعداد صفحات
|
5
|
مشخصات فنی
-
RoHS:
true
-
Type:
2 N-Channel
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
ROHM Semicon US6K4TR
-
Power Dissipation (Pd):
1W
-
Total Gate Charge (Qg@Vgs):
2.5nC@4.5V
-
Drain Source Voltage (Vdss):
20V
-
Input Capacitance (Ciss@Vds):
110pF@10V
-
Continuous Drain Current (Id):
1.5A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
1V@1mA
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
180mΩ@4.5V,1.5A
-
Package:
TUMT-6
-
Manufacturer:
ROHM Semicon
-
Part id:
518370
