دیتاشیت SI5902BDC-T1-GE3
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | SI5902BDC-T1-GE3 |
|---|---|
| حجم فایل | 120.412 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 7 |
دانلود دیتاشیت SI5902BDC-T1-GE3 |
SI5902BDC-T1-GE3 Datasheet |
|---|
مشخصات
- RoHS: true
- Type: 2 N-Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: Vishay Intertech SI5902BDC-T1-GE3
- Power Dissipation (Pd): 3.12W
- Drain Source Voltage (Vdss): 30V
- Continuous Drain Current (Id): 4A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3V@250uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 65mΩ@10V,3.1A
- Package: ChipFET1206-8
- Manufacturer: Vishay Intertech
- Part id: 442309
