DXT13003DG-13 دیتاشیت

DXT13003DG-13

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت DXT13003DG-13
حجم فایل 70.639 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

مشاهده دیتاشیت DXT13003DG-13

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: Diodes Incorporated DXT13003DG-13
  • Transistor Type: NPN
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 1.3A
  • Power Dissipation (Pd): 700mW
  • Transition Frequency (fT): 4MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 16@500mA,2V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): -
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 450V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 400mV@1A,250mA
  • Package: SOT-223-4
  • Manufacturer: Diodes Incorporated
  • Part id: 1458509

محصولات مشابه