DMN10H170SVT-7 دیتاشیت

DMN10H170SVT-7

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت DMN10H170SVT-7
حجم فایل 92.779 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

مشاهده دیتاشیت DMN10H170SVT-7

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Diodes Incorporated DMN10H170SVT-7
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 1.2W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 9.7nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 1167pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 2.6A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 160mΩ@5A,10V
  • Package: SOT-23-6
  • Manufacturer: Diodes Incorporated
  • Part id: 713312

محصولات مشابه