Infineon Technologies IPT007N06N دیتاشیت

IPT007N06N

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IPT007N06N
حجم فایل 32.709 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 12

مشاهده دیتاشیت IPT007N06N

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: 1 N-channel
  • Category: Transistors/Thyristors/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies IPT007N06N
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C
  • Power Dissipation (Pd): 375W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 216nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 60V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 21280pF@30V
  • Continuous Drain Current (Id): 300A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.8V@280uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 458pF@30V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 0.75mΩ@10V,150A
  • Package: HSOF-8-1

محصولات مشابه