BSC047N08NS3G دیتاشیت

BSC047N08NS3G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت BSC047N08NS3G
حجم فایل 64.38 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

مشاهده دیتاشیت BSC047N08NS3G

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies BSC047N08NS3G
  • Power Dissipation (Pd): 2.5W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 80V
  • Continuous Drain Current (Id): 18A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3.5V@90uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 4.7mΩ@10V,50A
  • Package: TDSON-8(5.2x5.9)
  • Manufacturer: Infineon Technologies

محصولات مشابه